专业知识分享
把脉行业热点,汲取前沿思维

三星贴片电容的结构与材料特性

  • 编辑: 深圳容乐电子官网
  • 发表时间:2018-05-04

  三星贴片电容的结构与材料特性,其实贴片电容的结构大同小异,表现的不同点是在容值和功率上,下面小编为你讲解电容结构和材料特性。


  1:三星贴片电容结构:从下图可以看出,贴片电容主要由陶瓷介质,内电极,端电极Sn焊接层,端电极Ni阻挡层,端电极底层组成。


  2:贴片电容材料特性:


  Ⅰ类介质电容器(NP0 温度补偿型):

  COG电气性能参数稳定,随温度,电压,时间的变化率很小,适合使用在对稳定性要求较高的高频电路中,如谐振电路。采用特殊结构设计可以获得较低的ESR.其高”Q”值产品的Q值可以达到1000以上.


  C0G—使用温度范围在-55~+125℃,容量变化范围为0±30ppm/℃.


  1类瓷的EIA标志代码(-55℃~125℃)


  Ⅱ类介质电容器:

  X7R(X5R):电气性能参数较稳定,随温度的变化其性能变化不很显著。X7R属高K值电介质,可生产较高容量的电容器.适用于隔直,耦合,旁路的电路中(X5R:-55,85,C%±15%)。


  Y5V:电气性能参数的稳定性较差,但可生产出更高容量的电容器。适用于去偶电路和滤波电路。


  2类瓷的EIA标志代码




  以上就是贴片电容的结构与材料特性的全部内容,如果你还不会选用,可以联系容乐电子专业人员,我们会给你更专业的讲解。